산업정보

재질별: 실리콘 트랜지스터, 게르마늄 트랜지스터

1947년 12월 23일, 뉴저지 주 머레이 힐에 있는 벨 연구소에서 세 명의 과학자인 Dr. Bardeen, Brighton 박사, Shockley 박사는 강렬하면서도 체계적으로 초점을 맞춰 실험을 수행하고 있었습니다.

BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)는 이미터, 베이스 및 컬렉터 영역으로 형성된 두 개의 PN 접합으로 구성된 3{0}}단자 반도체 장치입니다. PN 접합 배열에 따라 NPN형과 PNP형으로 분류됩니다.

순방향 바이어스 측정의 경우 디스플레이에는 순방향 전압(실리콘 다이오드의 경우 0.5~0.7V, 게르마늄 다이오드의 경우 0.2~0.3V)이 표시됩니다.

케이스의 표시를 관찰하십시오. 다이오드 기호는 일반적으로 케이스에 표시되어 있습니다. 삼각형 화살표가 있는 끝은 양극 단자이고 다른 쪽 끝은 음극 단자입니다.

다이오드의 종류는 다양합니다. 사용되는 반도체 재료에 따라 게르마늄 다이오드(Ge 다이오드)와 실리콘 다이오드(Si 다이오드)로 나눌 수 있습니다.

크리스털 다이오드는 p-형 반도체와 n-형 반도체로 형성된 p-n ​​접합입니다. 인터페이스 양쪽에 공간 전하층이 형성되고 내장된-전기장이 형성됩니다.

다이오드는 ap-형 반도체(3가 붕소로 도핑됨)와 n-형 반도체(5가 인으로 도핑됨)가 ap-n 접합으로 연결된 2단자 장치입니다.