DC 매개변수
포화 드레인 전류(IDSS): 게이트-소스 전압은 0이지만 드레인-소스 전압은 핀치-오프 전압보다 높을 때 드레인 전류로 정의됩니다.
핀치{0}}오프 전압(UP): UDS가 일정할 때 ID를 매우 작은 전류로 줄이는 데 필요한 UGS로 정의됩니다.
이륙-전압(UT): UDS가 일정할 때 ID를 특정 값으로 가져오는 데 필요한 UGS로 정의됩니다.
AC 매개변수
AC 매개변수는 출력 저항과 저주파-트랜컨덕턴스라는 두 가지 범주로 나눌 수 있습니다. 출력 저항은 일반적으로 수십~수백 킬로옴인 반면, 저주파 상호 컨덕턴스는 일반적으로 수십 분의 1~수 밀리시버트 범위에 있으며 일부는 100ms 이상에 이릅니다.
낮은-주파수 트랜스컨덕턴스(gm): 드레인 전류에 대한 게이트-소스 전압의 제어 효과를 설명합니다.
전극간 용량({0}}전극 용량): MOSFET의 세 전극 사이의 용량입니다. 값이 작을수록 트랜지스터 성능이 더 우수함을 나타냅니다.
매개변수 제한
① 최대 드레인 전류 : 트랜지스터의 정상 동작 시 허용되는 드레인 전류의 상한치.
② 최대 전력 손실: 트랜지스터의 최대 작동 온도에 의해 제한되는 트랜지스터의 전력입니다.
③ 최대 드레인-소스 전압: 드레인 전류가 급격히 상승하기 시작할 때 애벌런시 항복이 발생하는 전압입니다.
④ 최대 게이트-소스 전압: 게이트와 소스 사이의 역전류가 급격히 증가하기 시작하는 전압.
위의 매개변수 외에도 전극 간 용량, -고주파 매개변수 등의 다른 매개변수가 있습니다.-
드레인 및 소스 항복 전압: 드레인 전류가 급격히 상승하면 애벌런시 항복 중에 UDS(Upper Demand)가 발생합니다.
게이트 항복 전압: JFET(접합 전계 효과 트랜지스터)가 정상적으로 작동하는 동안 게이트와 소스 사이의 PN 접합은 역-바이어스됩니다. 전류가 너무 높으면 파손이 발생합니다.
사용 중 중점을 두어야 할 주요 매개변수는 다음과 같습니다.
1. IDSS-포화 드레인-소스 전류. 이는 게이트 전압 UGS가=0.일 때 접합 또는 공핍-형 절연-게이트 필드-효과 트랜지스터의 드레인-소스 전류를 나타냅니다.
2. UP-핀치-오프 전압. 3. **UT-테이크-전압:** 접합-유형 또는 공핍{8}}유형 절연-게이트 필드-효과 트랜지스터(IGFET)에서 드레인-소스 접합이 막 꺼지는 게이트 전압입니다.
4. gM-트랜스컨덕턴스: 드레인 전류 ID에 대한 게이트-소스 전압 UGS의 제어 기능, 즉 게이트-소스 전압 UGS 변화에 대한 드레인 전류 ID 변화의 비율을 나타냅니다. gM은 IGFET의 증폭 능력을 측정하는 중요한 매개변수입니다.
5. BUDS-드레인-소스 항복 전압: 게이트-소스 전압 UGS가 일정할 때 IGFET가 정상 작동 시 견딜 수 있는 최대 드레인-소스 전압입니다. 이는 제한적인 매개변수입니다. IGFET에 적용되는 작동 전압은 BUDS보다 낮아야 합니다.
6.PDSM-최대 전력 소모: 또한 제한 매개변수이며 IGFET의 성능을 저하시키지 않고 허용되는 최대 드레인-소스 전력 소모를 나타냅니다. 사용 시 IGFET의 실제 전력 소비는 특정 마진이 있는 PDSM보다 작아야 합니다.. 7. **IDSM-최대 드레인-소스 전류:** IDSM은 정상 작동 중에 전계 효과 트랜지스터(FET)의 드레인과 소스 사이를 통과하도록 허용되는 최대 전류를 나타내는 제한 매개변수입니다. FET의 작동 전류는 IDSM을 초과해서는 안 됩니다.
